En ny 3D-minneskrets från Toshiba ökar lagringskapaciteten och säkerheten och ska kunna användas i många typer av produkter, både på konsument och företagssidan.
Toshiba har presenterat en ny generation av sitt 3D-flashminne, kallat Bic Flash, som är uppbyggt av en tredimensionell staplad cellstruktur. Den nya enheten är enligt företaget världens första 256-gigabits, 48-lagers Bic-enhet och utnyttjar en teknik med tre bit per cell (trippel-level cell, TLC).
Bic Flash bygger på en process med stapling i 48 lager, vilket uppges överträffa kapaciteten hos vanliga tvådimensionella NAND Flash-minnen och samtidigt förbättra tåligheten mot skrivning och radering, samt öka skrivhastigheten. Den nya minnesenheten lämpar sig för olika tillämpningar, bland annat konsument-SSD, smarta telefoner, plattor och minneskort, samt företags-SSD för datacenter.
Sedan prototypen tillkännagavs redan i juni 2007 har Toshiba fortsatt utvecklingen mot optimering för massproduktion. Testleveranser kommer att påbörjas i september och man arbetar just nu med att iordningställa en ny fabrik för massproduktion, som ska inledas under första halvåret 2016.