Samsung har aviserat en våg av nya SSD-enheter som fördubblar kapaciteten i befintliga och kommande modeller, ett drag som möjliggörs av den tredje generationens V-NAND.
Samsung påbörjade massproduktion av minneskretsar baserade på deras tredje generations V-NAND-teknik förra månaden vid sin fabrik i Kina. Med sina 48 lager, innebär tekniken att Samsung kan pressa in 256 gigabit på en enda NAND-krets, jämfört med 128 gigabit med andra generationens 32 skiktslösning.
De första produkterna som annonserats är fyraterabytesversioner av SSD 850 PRO och SSD 850 EVO. Dessa kommer att behålla formfaktorn 2,5 tum och sju millimeters tjocklek och ha SATA 6Gbps-gränssnitt. Enheterna kommer att släppas i början av 2016, vilket är mindre än tolv månader efter utgivningen av tvåterabytesversionerna.
Nästa nya produkt blir är SSD 850 EVO M.2 på en terabyte, som tidigare bara funnits med en kapacitet på 500 gigabyte. Även denna dyker upp någon gång under första kvartalet 2016. Även SSD 950 PRO kommer att få en kapacitetsuppgradering tack vare tredje generationens V-NAND och en version med en terabyte kommer under 2016 – exakt när uppges inte.
Det är inte bara de nya storlekarna som kommer att få de nya V-NAND-kretsarna. När massproduktionen kommer igång ordentligt uppges övergången komma att gälla även enheter med lägre kapacitet för att spara kostnader. Enligt Samsung förväntas prestanda förbli densamma eller till och med öka när detta sker.
