Intel, Samsung och TSMC har initierat ett samarbetsprojekt med målet att åstadkomma en övergång till kretsproduktion på 450-millimeters kiselsubstrat år 2012.
Övergången till större kiselsubstrat kommer att bidra till lägre produktionskostnader och minskad negativ miljöpåverkan i form av utsläpp av exempelvis växthusgaser.
Ur ett kiselsubstrat på 450 millimeter kan mer än dubbelt så många elektroniska kretsar, till exempel processorer, utvinnas än med dagens 300-millimeters substrat.
Övergången till produktion på de större kiselsubstraten är förenad med ansenliga kostnader och forsknings- och utvecklingsarbete. Men genom ett brett samarbete mellan de tre initiativtagarna till projektet och andra aktörer inom halvledarindustrin, ska investeringarna i den nya produktionstekniken snabbt ge återbäring och produktion av elektroniska kretsar på 450-millimeters substrat inledas år 2012.
Historiskt sett har en övergång till större kiselsubstrat genomförts vart tionde år. År 2001 inleddes övergången från 200- till 300-millimeters substrat. De första produktionsanläggningarna för 200-millimeters substrat introducerades 1991. Därför anser Intel, Samsung och TSMC att 2012 är en lämplig tidpunkt för en ny övergång till ännu större substrat.
Av: Mats Andersson